当前位置：首页 > 产品展示 > 二三极管场效应晶闸管等 > 场效应管 > IPB114N03L

IPB114N03L

PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度

数量	1+	50+
单价(元)	￥3.5	￥3.00

📄 查看PDF资料

产品详细信息资料下载

IPB114N03L，PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度