二三极管场效应晶闸管等_保定市禾邦电子有限公司

描述：SOT-6 P沟道,漏极电流ID=-5.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=-20V,漏源电阻RDS(on)=0.033欧 at 栅源电压VGS=-4.5V 漏极电流ID=-5.5A,漏源电阻RDS(on)=0.043欧 at 栅源电压VGS=-2.5V 漏极电流ID=-4.8A,漏源电阻RDS(on)=0.060欧 at 栅源电压VGS=-1.8V 漏极电流ID=-4.0A,耗散功率PD=1.6W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥2.5	询价

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名称：IPP14N03LA

描述：P-TO220-3-1原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度

数量	1
价格(元)	￥11.00

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名称：IPI14N03LA

描述：P-TO262-3-1 原装进口 N沟道,通态漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度

数量	1
价格(元)	￥11.00

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名称：IPB14N03LA

描述：P-TO263-3-2 原装进口 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)<=0.0136欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=46W at 25摄氏度

数量	1
价格(元)	￥7.00

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名称：IPB114N03L

描述：PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=30A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=30V,漏源电阻RDS(on)<=0.0114欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A ,耗散功率PD=38W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥3.5	￥3.00

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名称：IPB09N03LA 散新

描述：P-TO263-3-2 散新品牌infineon N沟道,漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥3.00	￥2.5

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名称：IPB09N03LA 进口

描述：P-TO263-3-2 品牌infineon N沟道,通态漏极电流ID=50A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=25V,漏源电阻RDS(on)=0.0089欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=30A,耗散功率PD=63W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥4.5	询价

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名称：IPB039N04LG

描述：PG-TO263-3 N沟道,漏极电流ID=80A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=40V,漏源电阻RDS(on)<=0.039欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=80A,耗散功率PD=94W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥5.3	￥4.7

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名称：BSS84

描述：SOT-23 P沟道,漏极电流ID=-0.13A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=50V,漏源电阻RDS(on)<=10欧 at 栅源电压VGS=-5V 漏极电流ID=-0.1A,耗散功率PD=0.36W at 25摄氏度

数量	1	100
价格(元)	￥0.2	￥0.15

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名称：IRFD120

描述：DIP4 N沟道,通态漏极电流ID=1.3A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.27欧

数量	1	50
价格(元)	￥18.00	￥16.00

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名称：IRFD123

描述：4脚直插 N沟道,漏极电流ID=1.1A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=80V,漏源电阻RDS(on)<=0.4欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.6A,耗散功率PD<=1W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥4.7	￥4.3

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名称：2SK660

描述：TO-92 N沟道 10mA 20V, 品牌NEC

数量	1	50
价格(元)	￥2.00	询价

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名称：BS170

描述：TO-92 N沟道,漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥1.1	￥0.92

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名称：BS170P

描述：SOT223 国产infineon，N沟道 0.5A 60V,通态漏极电流ID=0.5A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=60V,漏源电阻RDS(on)<=5欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=0.2A,耗散功率PD=0.83W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥1.6	询价

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名称：3DJ6F

描述：TO-18 结型耗尽型场效应管;N沟道、 20V 、15mA 、100mW

数量	1	50
价格(元)	￥6.00	询价

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名称：2SK30A

描述：TO-92 N沟道栅极电流IG=10mA at 25摄氏度,栅漏击穿电压VGDS=-50V,耗散功率PD=0.1W at 25摄氏度

数量	1	100
价格(元)	￥1.2	￥0.9

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名称：2SK1020 翻新

描述：TO-3PL 品牌富士通 N沟道 30A,500V,0.25欧

数量	1	50
价格(元)	￥15.00	询价

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名称：IRFU120

描述：TO-251 进口IR N沟道,漏极电流ID=7.7A at 25摄氏度,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)=0.27欧 at 栅源电压VGS=10V 漏极电流ID=4.6A,耗散功率PD=42W at 25摄氏度

数量	1	50
价格(元)	￥2.00	￥1.7

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名称：AOB414

描述：TO-263 品牌AOS N沟道,通态漏极电流ID=51A,漏源击穿电压VDSS=100V,漏源电阻RDS(on)<=0.0025欧 at 栅源电压VGS=10V

数量	1	50
价格(元)	￥4.00	询价

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名称：FDG6322C

描述：封装SOT363(SC706L) 品牌仙童 220 mA, 25 V,2通道, N和P沟道

数量	1	50
价格(元)	￥1.2	￥1.00

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名称：FDMS86101

描述：品牌仙童封装QFN 贴式8脚 N沟道 100V, 60A, 8mΩ

数量	1	50
价格(元)	￥7.5	询价

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名称：IRFM120A

描述：品牌仙童 SOT-223 N沟道 100V, 2.3A, 0.2Ω

数量	1	50
价格(元)	￥5.00	询价

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